商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id) 110A
功率(Pd) 200W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.5mΩ@10V,55A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 长期供应,正品保障,有需求电联:17776375521!
STP110N8F6 ST(意法半导体) TO-220 场效应管(MOSFET)
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id) 110A
功率(Pd) 200W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.5mΩ@10V,55A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 长期供应,正品保障,有需求电联:17776375521!