驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：17V（最大）
逻辑电压?- VIL，VIH：1.1V，1.8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA
输入类型：反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：600V
上升/下降时间（典型值）：70ns，40ns
工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
长期供应，正品保证：177 7637 5521！
