商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 -
漏源电压(Vdss) -
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd) -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) -
阈值电压(Vgs(th)@Id) -
栅极电荷(Qg@Vgs) -
输入电容(Ciss@Vds) -
反向传输电容(Crss@Vds) -
此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺,非常适用于电源管理应用。
长期供应,正品保证!
FDV305N 场效应管(MOSFET) SOT-23 onsemi(安森美)
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类型 -
漏源电压(Vdss) -
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd) -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) -
阈值电压(Vgs(th)@Id) -
栅极电荷(Qg@Vgs) -
输入电容(Ciss@Vds) -
反向传输电容(Crss@Vds) -
此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺,非常适用于电源管理应用。
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